半导体

XTDIC-MICRO三维显微应变测量系统,DIC技术与体式显微镜相结合,通过算法和图像校正技术避免漂移和失真,获取试样变形准确测量值,适用于半导体热力学测试,完成介观尺度材料测试、芯片热膨胀/翘曲、热变形分析。

芯片热翘曲变形DIC测量,半导体热变形DIC测量,PCB焊接变形DIC测量,晶圆热变形DIC测量_新拓三维
观看视频
赋能场景
  • XTDIC-MICRO显微应变测量系统,通过搭配各类原位加载试验机,可进行介观尺度试样材料的拉伸、压缩、循环等多性能力学性能测试,实现微小试样全场应变测量,获取应力-应变工程曲线。

    介观尺度材料力学测试

    介观尺度材料力学测试

  • XTDIC-MICRO显微应变测量系统,结合光学冷热台,可分析不同温度下芯片翘曲情况,输出每个温度点的翘曲云图、曲线图和应变数据,分析芯片表面的离面位移得到翘曲分布,可分析全视场2D位移场及应变场。
    芯片热翘曲测试

    芯片热翘曲测试

  • XTDIC-MICRO显微应变测量系统,结合光学冷热台进行温度加载,对试件进行热膨胀CTE测试,输出XY方向不同位置的CTE,半导体热膨胀测试数据,有助于提升半导体器件的稳定性能。

    电路板、单晶硅等膨胀系数测试

    电路板、单晶硅等膨胀系数测试

  • XTDIC-MICRO显微应变测量系统与温控箱结合,分析半导体在温度变化、封装过程测试中的动态变形,以评估芯片断面不同材质在温度变化下的力学特性,通过与设计理论值对比,验证材料的可靠性。

    半导体变形测试

    半导体变形测试

  • 应用方案
    • 芯片热翘曲和热变形DIC全场测量解决方案
      新拓三维全场变形测量DIC技术,通过获取基准状态下的轮廓数据,支持追踪同名点在不同温度载荷下的位移数据,计算分析出应变数据。可同时分析芯片的翘曲和焊接工艺评估、断面不同材料否存在应变集中现象,通过测量CTE,可进一步判定芯片热翘曲CTE失配问题。
    • 显微DIC技术用于单晶硅热膨胀翘曲CTE测量
      热翘曲实验采用新拓三维XTDIC-MICRO显微应变测量系统及温度控制器(温控±0.1°C),基于显微DIC技术搭建芯片热翘曲测量平台,开展典型叠层结构热翘曲测试,实现多层板在升温过程中热翘曲实时观测。
    • 芯片先进封装中的翘曲与显微DIC测量解决方案
      在结构热翘曲的实验观测中,重点是测量热翘曲引起的离面位移。新拓三维XTDIC-MICRO三维显微应变测量系统,数字图像相关DIC技术结合体式显微镜,可用于测量承受施加载荷、不同温度下的芯片试样表面变形、应变和翘曲。使用体式显微镜,以及用于复杂失真校正的软件,可获得高放大倍率测量,适用于测量芯片Z方向位移以及翘曲。